报告题目：二硒化铌中超化学计量比铜离子可逆可调控插层

报告摘要：

      实施可控离子嵌层可以有效调节硒化铌（NbSe₂）的物理特性和能源器件性能，但是受限于深度嵌层中化学键的过度膨胀断裂以及过渡金属中心的本征氧化还原极限，嵌入离子化学计量比较低（≤0.5）。我们在少层NbSe₂中触发阴离子氧化还原反应实现了可逆的非常规超化学计量比可控铜离子嵌层，每个晶胞最多可嵌入2个铜离子。过渡金属与硒骨架的协同电荷转移有效抑制了化学键和晶格结构的无序化，避免了转化反应的发生，并使得铜离子的超化学计量比脱嵌/嵌层过程具有可逆性和可调性。超化学计量比铜离子嵌层所衍生的Cu_xNbSe₂化合物体系在各类扩展电化学储能应用展现出高容量和出色的循环稳定性，拓宽了铌基化合物在电池中的应用与研究范畴。

嘉宾简介：

      朱大明，研究员、博士生导师，2018年获中国科学院上海应用物理研究所光学博士学位，同年进入中国科学院上海高等研究院工作。从事同步辐射表征技术开发及在功能材料器件中的研究工作，在Nat Mater、Nat Commun、JACS、Adv Mater等发表研究论文70余篇。